GaN具有直接帶隙寬、原子鍵強、熱導率高和抗輻照能力強等性質，不僅是短波長光電子材料，也是高溫半導體器件的替代材料，GaN體系可以用來制備藍、綠光LED，藍紫、紫外光LD，紫外探測器以及高頻大功率電子器件。GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/(v·s)的2-DEG，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素。
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生長方法
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HVPE（氫化物氣象外延法）
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晶體結構
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六方
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晶格常數(nm)
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a：0.319 c：0.519
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晶向
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C-axis(0001) ± 0.5°
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摻雜程度
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輕摻、中摻、重摻
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摻雜元素
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導電類型
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N
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Semi-Insulating
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帶隙（eV）
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3.44
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電阻率（Ω·cm）
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< 0.5 Ω·cm
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>106Ω·cm
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遷移率(cm2/(v·s))
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載流子密度（/cm3）
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位錯密度（EPD）（/cm2）
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<5x106
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尺寸
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10.0mm×10.5mm、14.0mm×15.0mm，可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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單拋片、雙拋片或切割片
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厚度(um)
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300 ± 25、350 ± 25、400 ± 25，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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單質
