GaAs[1]是重要的化合物半導(dǎo)體材料，用來制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管、半導(dǎo)體激光器[2]、紅外探測[3]和太陽能電池等元件。GaAs單晶基片也應(yīng)用于制備成納米結(jié)構(gòu)的GaAs結(jié)構(gòu)，如GaAs納米線陣列[4]、GaAs納米錐陣列[5]等。
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生長方法
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垂直梯度凝固法(VGF)LEC HB
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晶體結(jié)構(gòu)
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閃鋅礦型結(jié)構(gòu)
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晶格常數(shù)（nm）
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0.5653
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晶向
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（100）、（111）
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摻雜程度
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摻雜元素
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不摻雜
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摻Zn
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摻Si
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導(dǎo)電類型
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半絕緣
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P
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N
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帶隙（eV）
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1.4
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電阻率（Ω·cm）
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遷移率(cm2/(v·s))
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載流子濃度（/cm3）
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>5×1017
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位錯密度（EPD）（/cm2）
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<5×105
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尺寸
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2寸3寸4寸6寸可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
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表面
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單拋片、雙拋片或切割片
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厚度(um)
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TTV (Total ThicknessVariation)
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TIR (Total IndicatedReading)
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Bow
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Warp
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單質(zhì)