InSb是一種重要的化合物半導體，主要用于制作遠紅外光電探測器、霍耳器件和磁阻器件。
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生長方法
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提拉法
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晶體結構
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立方
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晶格常數(nm)
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0. 648
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晶向
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<100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向
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摻雜程度
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摻雜元素
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不摻雜
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摻Te
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摻Ge
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導電類型
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N
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N
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P
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帶隙（eV）
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0.18
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電阻率（Ω·cm）
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遷移率(cm2/(v·s))
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載流子密度（/cm3）
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1~5×1014
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1~2×1015
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位錯密度（EPD）（/cm2）
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<2×102
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尺寸
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Φ2″×0.5可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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單拋片、雙拋片、或切割片
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厚度(um)
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Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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單質