砷化銦InAs單晶基片作為襯底，不僅可以生長InAsSb/In－AsPSb、InNAsSb等異質結材料,用來制作波長范圍為2～14μm的紅外發光器件，還可以外延生長AlGaSb超晶格結構材料,制作中紅外量子級聯激光器。紅外發光器件和紅外激光器在氣體監測、低損耗光纖通信等領域有非常好的應用前景。InAs單晶同時具有很高的電子遷移率,也是一種制作Hall器件的理想材料。
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生長方法
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液封提拉法LEC
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晶體結構
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立方
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晶格常數(nm)
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0.606
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晶向
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<100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向
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摻雜程度
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摻雜元素
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不摻雜
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摻Sn
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摻Zn
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摻S
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導電類型
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N
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N
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P
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N
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帶隙（eV）
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0.354
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電阻率（Ω·cm）
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遷移率(cm2/(v·s))
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2×104
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>2000
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100-300
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>2000
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載流子密度（/cm3）
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5×1016
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(5-20)×1017
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(1-20)×1017
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(1-10)×1017
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位錯密度（EPD（/cm2）
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<5×104
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尺寸
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Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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單拋片、雙拋片或切割片
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厚度(um)
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500，厚度公差+-10um，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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單質