磷化銦InP單晶基片
InP單晶材料是最重要的化合物半導體材料之一,是光纖通信技術中的非常關鍵的材料，基于InP的激光二極管（LD）、發光二極管（LED）和光探測器等器件實現了光纖通信中信息的發射、傳播、放大、接受等功能。InP同時也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質結雙極晶體管（HBT）等方面。由于InP本身具有的優越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質結晶體管等諸多高技術領域有著廣泛的應用.
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生長方法
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液封提拉法LEC
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晶體結構
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立方
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晶格常數(nm)
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0. 587
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晶向
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<100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向
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摻雜程度
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輕摻、中摻、重摻
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摻雜元素
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不摻雜
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摻S
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摻Zn
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摻Te
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導電類型
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N
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N
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P
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N
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帶隙（eV）
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1.34
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電阻率（Ω·cm）
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遷移率(cm2/(v·s))
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(3.5-4)×103
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(2.0-2.4)×103
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(1.3-1.6)×103
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70-90
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≥2000
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載流子密度（/cm3）
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(0.4-2)×1016
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(0.8-3)×1018
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(4-6)×1018
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(0.6-2)×1018
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107-108
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位錯密度（EPD）（/cm2）
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<5×104
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3×104
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2×103
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2×104
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3×104
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尺寸
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Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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單拋片、雙拋片或切割片
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厚度(um)
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500，厚度公差+-10um，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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單質