氧化鋅(ZnO)是很好的GaN薄膜(藍光LED)襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶隙使之成為紫外以及可見光發光材料．同時由于具有可見區透明，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用.
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生長方法
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水熱法
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晶體結構
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六方
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晶格常數(?)
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a=3.252 c=5.313
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晶向
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<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o
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尺寸（mm）
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25×25×0.5、10×10×0.5、10×5×0.5、5×5×0.5
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可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底
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拋光
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單拋片、雙拋片或切割片
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表面粗糙度
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Surface roughness(Ra):<=5?
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可提供原子粒顯微鏡（AFM）檢測報告
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物理性質
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密度（g/cm3）
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5.7
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硬度（mohs）
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4
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熔點（℃）
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1975
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熱膨脹系數(/℃)
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6.5 x 10-6 //a, 3.7 x 10-6 //c
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比熱容（Cal/g /℃）
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0.125
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熱電常數(mv/k)
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1200 @ 300℃
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熱導(cal/cm/k)
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0.006
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透過范圍
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0.4-0.6 um > 50% at 2mm
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包裝
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100級潔凈袋，1000級超凈室
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單質